特許
J-GLOBAL ID：200903000177120230
半導体式センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082111
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254474
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 固定基板とワイヤボンディング・パッドとの電気的接続を確立しかつ密閉構造とする。【構成】 可動電極11と固定電極23との間の空隙を形成するための第1の凹所12と,この第1の凹所12につながる接続用の第2の凹所13とが半導体基板10に形成され,第2の凹所13に対応する位置に,固定基板20にワイヤボンディング用孔21が形成され,第2の凹所13内に絶縁層14を介して,第1の環状導電体15と,この第1の環状導電体15につながりかつ第1の環状導電体15の内部に位置するワイヤボンディング・パッド16とが形成され,固定基板20にはワイヤボンディング用孔21の周囲において固定電極23に接続された第2の圧着用環状導電体24が形成され,第1の環状導電体15と第2の環状導電体24とが圧着されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一部に形成された検出部を可動電極とし,この半導体基板の少なくとも一面に電気的絶縁性を保って接合された固定基板の内面に,上記可動電極と対向する固定電極を設け,上記可動電極と固定電極との間に空隙が形成されている容量型半導体式センサにおいて,上記空隙を形成するための第1の凹所と,この第1の凹所につながる接続用の第2の凹所とが上記半導体基板に形成され,上記第2の凹所に対応する位置に,上記固定基板に第1のワイヤボンディング用孔が形成され,上記第2の凹所内に絶縁層を介して,第1の環状導電体と,この第1の環状導電体につながりかつ第1の環状導電体の内部に位置する第1のワイヤボンディング・パッドとが形成され,上記固定基板には上記ワイヤボンディング用孔の周囲において上記固定電極に接続された第2の圧着用環状導電体が形成され,上記第1の環状導電体と第2の環状導電体とが圧着されている,半導体式センサ。
IPC (4件)：
G01L 9/04 101
, G01P 15/125
, H01L 21/60 301
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01P 15/125
, H01L 21/60 301 N
, H01L 29/84 A
