特許

J-GLOBAL ID：200903000179153128

半導体集積回路およびその製造方法

発明者： 畑 博嗣 ,  高田 忠良 ,  金子 智
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027967
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223842
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 シリコンを主材料とする膜を電極や抵抗体として活用し、この膜のバラツキを抑制する。【解決手段】 このシリコンを主材料とする膜は、まず低温でa-Siを形成し、不純物の導入後に熱処理により拡散・アニールされて、電極13や抵抗体14として活用する。このシリコン膜は、下地に影響を受けるためシリコン窒化膜を下層に配置する。

請求項（抜粋）：

半導体層表面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられたシリコン窒化膜と、このシリコン窒化膜上に設けられ、アモルファスシリコン膜を熱処理して得られる所定の抵抗値を有するシリコン膜と、前記シリコン膜と電気的に接続された一対の電極とを少なくとも有する事を特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 21/265 P