特許
J-GLOBAL ID：200903000182287445
シリコン薄膜トランジスタ構造体およびそれを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-234418
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 印刷法などの寸法ばらつきが大きいパターニング方法でも製造可能で、またアクティブマトリクス型液晶表示装置等にも適用し得る多結晶シリコン薄膜トランジスタ構造体。【構成】 ゲート電極と、多結晶シリコン薄膜とを有して構成される薄膜トランジスタの複数個が、その各ゲート電極を接続するゲート線と、各ソース部とドレイン部を接続する多結晶シリコン薄膜配線にて接続されてなるシリコン薄膜トランジスタ構造体において、ゲート線と多結晶シリコン薄膜配線が各薄膜トランジスタにて交差し、ゲート線を流れるゲート電流の電流方向と、多結晶シリコン薄膜配線を流れる薄膜配線電流の電流方向の交差方向が隣り合う薄膜トランジスタで交互することを特徴とする。【効果】 パターニングによる欠陥を無くすことができるため、高歩留まりかつ信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ソース部、ドレイン部およびチャンネル部を形成する多結晶シリコン薄膜とを有して構成される薄膜トランジスタの複数個が、その各ゲート電極を接続するゲート線と、各ソース部とドレイン部を接続する多結晶シリコン薄膜配線にて接続されてなるシリコン薄膜トランジスタ構造体において、前記ゲート線と前記多結晶シリコン薄膜配線が各薄膜トランジスタにて交差し、ゲート線を流れるゲート電流の電流方向と、多結晶シリコン薄膜配線を流れる薄膜配線電流の電流方向の交差方向が隣り合う薄膜トランジスタで交互することを特徴とするシリコン薄膜トランジスタ構造体。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
