特許

J-GLOBAL ID：200903000184210628

半導体装置の製造方法

発明者： 久須美 大乗 ,  大久保 幸夫 ,  清水 一子
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-065341
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083811
出願日： 1991年03月07日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】InPなどIII-V族化合物半導体に作成した絶縁膜上に安定性・均一性に優れた特性を有するショットキー接合を形成する方法を提供するものである。【構成】半導体上にP2O5(五酸化リン)を蒸着し熱処理後、酸素プラズマで処理を行う、または、蒸着・熱処理後水洗し、真空中で熱処理するものである。

請求項（抜粋）：

In(インジウム)およびP(リン)を含むIII-V族化合物半導体上にP2O5(五酸化リン)を蒸着して蒸着膜を形成する工程と、該蒸着膜を酸素雰囲気および/または不活性雰囲気において熱処理を行う工程と、該蒸着膜を酸素プラズマで処理する工程と、該蒸着膜上に、前記III-V族化合物半導体とショットキー接合を形成する電極を形成する工程とを順次行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 B