特許

J-GLOBAL ID：200903000187810413

フィールドプレートを備えた半導体装置

発明者： 河野 恭彦 ,  森 睦宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358654
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158258
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】電圧印加によるフィールドプレートの劣化を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、電流を通電するアクティブ領域に隣接して形成した前記ターミネーション領域に、フィールドリミッティングリングと、フィールドプレートとを形成し、前記フィールドプレートが抵抗体であって、前記フィールドプレートの抵抗率が、5×10-3Ωcm以上であって、前記フィールドプレートが多結晶シリコンであり、前記フィールドプレートとフィールドリミッティングリングとの間に絶縁物層を形成して、フィールドリミッティングリングとフィールドプレートとを絶縁した。

請求項（抜粋）：

電流を通電するアクティブ領域と、アクティブ領域に隣接して形成され、電界を緩和するターミネーション領域とを備えた半導体装置において、前記ターミネーション領域には、フィールドリミッティングリングと、該フィールドリミッティングリングに接触形成され、電界を緩和するフィールドプレートとが形成され、前記フィールドプレートが抵抗体であることを特徴とするフィールドプレートを備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 301 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655

FI (3件)：

H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-116976
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-124897   出願人：富士電機株式会社
• 特開平2-125468
  
• 特開昭59-065475