特許
J-GLOBAL ID:200903000200353981

光電変換装置および光電変換装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-204458
公開番号(公開出願番号):特開2007-288223
出願日: 2007年08月06日
公開日(公表日): 2007年11月01日
要約:
【課題】光電変換装置の光劣化を低減させるとともに、光電変換効率の向上を図ることを目的とする。【解決手段】絶縁性基板上に、第1電極と、p型シリコン層、n型シリコン層およびi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造のアモルファスシリコン層と、第2電極とを少なくとも順次積層してなるとともに、前記第1電極の前記アモルファスシリコン層側の面が微細な凹部12aおよび凸部12bを有するテクスチャ構造とされた光電変換装置であって、前記凸部12bの数密度が、4〜12個/μm2であることを特徴とする。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
絶縁性基板上に、第1電極と、p型シリコン層、n型シリコン層およびi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造のアモルファスシリコン層と、第2電極とを少なくとも順次積層してなるとともに、前記第1電極の前記アモルファスシリコン層側の面の表面構造が微細な凹部および凸部を有するテクスチャ構造とされた光電変換装置であって、 前記凸部の数密度が、4〜12個/μm2であることを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 B
Fターム (13件):
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA04 ,  5F051FA19 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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