特許

J-GLOBAL ID：200903000201307096

窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法

発明者： 琵琶 剛志 ,  奥山 浩之 ,  土居 正人 ,  大畑 豊治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-237443
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282942
出願日： 2002年08月16日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 選択成長などによって素子構造を3次元化した場合においても、特性の優れた窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体素子は、側面部16s及び上層部16tを有して3次元状に成長した結晶層の前記上層部はアンドープ窒化ガリウム層17などの高抵抗領域を介して電極層21が形成される。上層部16tに高抵抗領域を設けることで、その上層部16tの高抵抗領域を迂回するように電流が流れ、上層部16tを避けて側面部16sを主体とする電流経路が形成される。その結果、結晶性がよくない上層部16tに電流を流すことが抑制される。

請求項（抜粋）：

側面部及び上層部を有して3次元状に成長した結晶層の前記上層部は高抵抗領域を介して電極層が形成されることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CB22 ,  5F041DB08 ,  5F073AA03 ,  5F073AA61 ,  5F073AB02 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA24