特許
J-GLOBAL ID:200903000203854264

有機EL素子の製造装置および有機EL素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-172886
公開番号(公開出願番号):特開平11-008066
出願日: 1997年06月13日
公開日(公表日): 1999年01月12日
要約:
【要約】【課題】 スパッタ法を用いて有機EL素子の陰電極を成膜する際に、スパッタされた粒子の持つ高い運動エネルギーを抑制し、有機層への物理的ダメージの少ない有機EL素子の製造装置および有機EL素子を実現する。【解決手段】 DCスパッタ装置であって、有機EL素子の構成膜を成膜する基板と、陰電極材料であるターゲットとを有し、前記基板をターゲットに対して、ターゲットから飛散するスパッタされた粒子の平均的な運動方向を示すベクトルの成分が、基板面に対して垂直な成分より平行な成分が多くなる位置に配置した有機EL素子の製造装置を用いて陰電極を成膜する。
請求項(抜粋):
DCスパッタ装置であって、有機EL素子の構成膜を成膜する基板と、陰電極材料であるターゲットとを有し、前記基板とターゲットそれぞれの中心を結ぶ線が、前記ターゲットの中心位置から垂直方向に延ばした直線に対して傾斜した位置に配置した有機EL素子の製造装置。
IPC (3件):
H05B 33/10 ,  C23C 14/34 ,  H05B 33/26
FI (3件):
H05B 33/10 ,  C23C 14/34 C ,  H05B 33/26

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