ドライエッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234219
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082683
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】薄いゲート酸化膜等を具備した半導体装置の製造プロセスにおいて、その製造プロセスのひとつであるドライエッチングによるゲート酸化膜等の耐圧劣化の生じないようなRIE装置を提供する。【解決手段】ウェハステージとなる電極部2に静電チャック方式で半導体基板1を固定し、この半導体基板1とウェハステージ2との空隙部にHeガス等を充填して、半導体基板1を冷却しながらエッチングするRIE装置であって、このHeガスを充填するための、ウェハステージ2内に設けられたHe導入配管の内壁をアルマイト等の絶縁膜21で被覆し、かつ半導体基板1とウェハステージ2間に厚いポリイミド等の絶縁膜22を形成し、半導体基板1の裏面での異常放電を防止する。

請求項（抜粋）：

ウェハステージ上に配置された半導体基板もしくは半導体基板表面の被膜を、プラズマ放電によって形成された活性ガスイオンおよびラジカルの少なく共一方により、エッチングするドライエッチング装置であって、該半導体基板を該ウェハステージに、第1の絶縁膜を介して静電力により固定するためのウェハ保持手段と、該ウェハステージの内部に設けられ、該半導体基板と該ウェハステージの空隙部に冷却ガスを充填するための冷却ガス導入配管と、該冷却ガス導入配管の内壁に設けられた第2の絶縁膜とを少なくとも具備し、該半導体基板を該冷却ガスにより冷却することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , B23Q 3/15 , C23F 4/00 , H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/302 C , B23Q 3/15 D , C23F 4/00 A , C23F 4/00 C , H01L 21/68 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

基板保持方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232797 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-312087

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