特許

J-GLOBAL ID：200903000209261052

パターン転写型荷電粒子線露光装置、パターン転写型荷電粒子線露光方法及び半導体素子の製造方法

発明者： 鈴木 一明 ,  牛島 幹雄
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319842
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351854
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【解決課題】 荷電粒子線を用いた露光装置に使用されるレチクルは厚さが高々数ミクロンであり、撓みやすく、また振動の影響も受けやすい。このことはレチクルの投影系に対する高さ位置が不安定になり、結像のピント、回転、倍率に思わぬ誤差を生じる。そこで、この様なレチクルの高さ位置を考慮した露光が必要になる。【解決手段】 レチクルの高さ位置を計測する機構を設ける。機構としては、赤外線を斜入射でレチクルに入射し、反射してきた光のセンサ上での横ズレを測定する機構である。これによって、容易にフォーカスを検出できる。なお、検出ビームを複数にすることによって、レチクルの高さ位置のみならず、傾きが精度良く求められ、露光系にフィードバックすることにより高精度な露光が可能になる。

請求項１：

メンブレインにパターン開口をあけることによりパターンが形成されたステンシル・タイプの原板(以下、ステンシル・レチクルと呼ぶ)上の、またはメンブレイン上に荷電粒子散乱体によりパターンが形成された散乱タイプの原板(以下、散乱メンブレイン・レチクルと呼ぶ)上のパターンを感光基板上に投影露光するパターン転写型荷電粒子線露光装置において、投影系に対するレチクルの高さ方向の位置を検出するためのフォーカス検出機構を設けたことを特徴とする転写型荷電粒子線露光装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/207

FI (5件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/207 ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 541 F

Fターム (17件)：

2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H097AA03 ,  2H097AB09 ,  2H097CA16 ,  2H097GB01 ,  2H097LA10 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056AA29 ,  5F056BA10 ,  5F056BB10 ,  5F056CB22 ,  5F056CB40 ,  5F056EA14 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07