特許

J-GLOBAL ID：200903000209897011

薄膜形成方法及びその装置

発明者： 橋本 俊一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359150
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204144
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、STM室における微細加工処理と成膜室における成膜処理とにより、超微細構造の薄膜を形成するようにし、STM室では、X方向走査回路25、Y方向走査回路26及びZ方向駆動・サーボ回路27によってピエゾ素子23の変形を制御し、ピエゾ素子23に取付けられた探針(STMの探針)10によって薄膜11に微細加工処理を施す。【効果】 STMの探針によって所望のパターンで原子オーダの微細な加工を二次元、三次元で行える。その結果、磁気記録媒体や種々の電子デバイスの構成部分を超微細構造にし、従来にない高精度のものができる。その上、前記のような構造から派生する新規材料の創製が可能になる。

請求項（抜粋）：

走査形トンネル顕微鏡の探針を用いて被処理物に原子オーダでの微細処理を施す微細処理工程と、真空状態を保持して前記被処理物上に所定の成膜を施す成膜工程とを有する薄膜形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/20 ,  H01L 41/09 ,  H01L 21/203