特許
J-GLOBAL ID：200903000211592570
ドライエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148364
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 微細加工が可能で、かつ金属元素を主成分とする被エッチング基体を高速にエッングすることが可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 金属元素を主成分とする被エッチング基体のドライエッチング方法であって、先ず第1ステップS1においては、フッ素を含有する反応ガスのプラズマ雰囲気に被エッチング基体を晒す。その後、第2ステップS2においては、フッ素を含有する反応ガスのプラズマ雰囲気に、ホウ素を含有する塩素系の反応ガスのプラズマを添加して被エッチング基体の表面をエッチングする。
請求項（抜粋）：
金属元素を主成分とする被エッチング基体のドライエッチング方法であって、フッ素を含有する反応ガスのプラズマ雰囲気に前記被エッチング基体を晒した後、前記プラズマ雰囲気にホウ素を含有する塩素系の反応ガスのプラズマを添加した雰囲気に前記被エッチング基体を晒してその表面をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
Fターム (11件)：
5F004AA05
, 5F004BA20
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA18
, 5F004DA23
, 5F004DB08
, 5F004DB13
, 5F004EA28
, 5F004EB08
