特許

J-GLOBAL ID：200903000212313888

半導体装置の製造方法

発明者： 淺川 達彦 ,  田中 秀一 ,  今井 英生
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-196642
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019102
出願日： 2005年07月05日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部32,34を含む樹脂層30を形成する工程と、(b)樹脂層30をキュアすることにより、第1及び第2の樹脂部32,34が一体化した樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。(a)工程で、第2の樹脂部34を、少なくとも電極パッド16と第1の樹脂部32の間に形成し、かつ第1の樹脂部32よりも小さい幅で形成する。【選択図】 図8

請求項１：

(a)電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部を含む樹脂層を形成する工程と、 (b)前記樹脂層をキュアすることにより、前記第1及び第2の樹脂部が一体化した樹脂突起を形成する工程と、 (c)前記電極パッドと電気的に接続し、かつ前記樹脂突起の上方を通る導電層を形成する工程と、 を含み、 前記(a)工程で、前記第2の樹脂部を、少なくとも前記電極パッドと前記第1の樹脂部の間に形成し、かつ前記第1の樹脂部よりも小さい幅で形成する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/88 T ,  H01L21/60 321E

Fターム (40件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX14

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開平2-272737号公報
  
• 電子部品の実装構造、電気光学装置、電子機器及び電子部品の実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-184946   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-302214   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体チップ及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法並に半導体装置の実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233779   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-194976   出願人：新光電気工業株式会社, 株式会社デンソー
• 半導体装置とその製造方法、回路基板、電気光学装置、及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-296589   出願人：セイコーエプソン株式会社