特許
J-GLOBAL ID:200903000212313888
半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-196642
公開番号(公開出願番号):特開2007-019102
出願日: 2005年07月05日
公開日(公表日): 2007年01月25日
要約:
【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部32,34を含む樹脂層30を形成する工程と、(b)樹脂層30をキュアすることにより、第1及び第2の樹脂部32,34が一体化した樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。(a)工程で、第2の樹脂部34を、少なくとも電極パッド16と第1の樹脂部32の間に形成し、かつ第1の樹脂部32よりも小さい幅で形成する。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
(a)電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部を含む樹脂層を形成する工程と、
(b)前記樹脂層をキュアすることにより、前記第1及び第2の樹脂部が一体化した樹脂突起を形成する工程と、
(c)前記電極パッドと電気的に接続し、かつ前記樹脂突起の上方を通る導電層を形成する工程と、
を含み、
前記(a)工程で、前記第2の樹脂部を、少なくとも前記電極パッドと前記第1の樹脂部の間に形成し、かつ前記第1の樹脂部よりも小さい幅で形成する半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 21/60
FI (2件):
H01L21/88 T
, H01L21/60 321E
Fターム (40件):
5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH23
, 5F033JJ01
, 5F033JJ07
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033JJ13
, 5F033JJ17
, 5F033JJ23
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033MM21
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ01
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ14
, 5F033QQ16
, 5F033QQ74
, 5F033QQ75
, 5F033QQ94
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS22
, 5F033VV00
, 5F033VV07
, 5F033XX14
引用特許:
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