半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：布施行夫 , 大渕美千栄 , 伊奈達也 , 竹腰昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-196642
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019102
出願日： 2005年07月05日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部32,34を含む樹脂層30を形成する工程と、(b)樹脂層30をキュアすることにより、第1及び第2の樹脂部32,34が一体化した樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。(a)工程で、第2の樹脂部34を、少なくとも電極パッド16と第1の樹脂部32の間に形成し、かつ第1の樹脂部32よりも小さい幅で形成する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

(a)電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部を含む樹脂層を形成する工程と、 (b)前記樹脂層をキュアすることにより、前記第1及び第2の樹脂部が一体化した樹脂突起を形成する工程と、 (c)前記電極パッドと電気的に接続し、かつ前記樹脂突起の上方を通る導電層を形成する工程と、を含み、前記(a)工程で、前記第2の樹脂部を、少なくとも前記電極パッドと前記第1の樹脂部の間に形成し、かつ前記第1の樹脂部よりも小さい幅で形成する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/88 T , H01L21/60 321E

Fターム (40件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH17 , 5F033HH23 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ17 , 5F033JJ23 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM21 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ74 , 5F033QQ75 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS22 , 5F033VV00 , 5F033VV07 , 5F033XX14

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平2-272737号公報

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