特許

J-GLOBAL ID：200903000213826773

半導体光変調器

発明者： 都築 健 ,  菊池 順裕
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-064498
公開番号（公開出願番号）：特開2006-251088
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】 従来のn-i-n 構造の光変調器においては、光導波コア層への入射光が光吸収電流へ変換される効率が悪く、十分な光吸収電流を得ることができなかった。また、電流注入により光導波コア層を発光させることも困難であった。このため、簡単に光ファイバやレンズの位置調節を行うことができなかった。【解決手段】 入出力導波路の入力端、出力端の近傍に、n型半導体クラッド層および半絶縁型クラッド層に達するようなp型半導体領域を設けることにより、光吸収により発生したホールを引き抜くことや、このp型半導体領域から電流を注入して、光導波コア層を発光させることができる。簡単に、光変調器と光ファイバやレンズの光結合調整を行うことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1のn型クラッド層と、半導体光導波層と、半絶縁型クラッド層と、第2のn型クラッド層とが順次積層された層構造を有する半導体光変調導波路と、前記層構造を有する入力導波路と、前記層構造を有する出力導波路とを含む半導体光変調器において、 入射光を入力する前記入力導波路の入力端または出射光を出力する前記出力導波路の出力端の近傍であって、光進行方向の一定長さ区間の、前記第2のn型クラッド層のすべてまたは一部を、p型の導電性を持つ領域としたp型半導体領域と、 前記p型半導体領域上に形成された電極と、 を備えたことを特徴とする半導体光変調器。

IPC (1件)：

G02F 1/025

FI (1件)：

G02F1/025

Fターム (9件)：

2H079AA02 ,  2H079AA05 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第2004/081638号パンフレット