特許

J-GLOBAL ID：200903000218790629

ドライエッチング方法

発明者： 大岩 徳久 ,  堀岡 啓治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-278921
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132252
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】シリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜を選択的にエッチングできるドライエッチング方法を提供すること。【構成】Si3 N4 膜5上にBPSG2 膜6を形成する工程と、BPSG2 膜6上にフォトレジストパターン7を形成する工程と、CHF3 ガスとCOガスとを含むエッチングガスをプラズマ状態にすると共に、温度が90°C以上、且つ圧力が40mTorr乃至100mTorr、且つCHF3 ガスとCOガスとの混合ガスの流量に対するCOガスの流量の比が40%乃至80%の条件で、混合ガスのプラズマによりフォトレジストパターン7をマスクとしてBPSG膜6を選択的にエッチングする工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

シリコン窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、この酸化膜をドライエッチングすると共に、このドライエッチング中に露出する前記シリコン窒化膜の表面にSi-C結合を含む物質を形成する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-010628
  
• 特開平4-211120
  
• 特開昭59-169151
  
• 特開昭54-086482
  
• 特開平4-258117