特許
J-GLOBAL ID：200903000219257649
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-184829
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032212
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 オフセットの回転軸に対して垂直方向にエミッタコンタクトの長辺を配置した場合に、トランジスタのコレクタ・エミッタ間の耐圧が劣化、あるいは電流増幅率hFEの上昇が見られる。また、従来はエミッタコンタクトの長辺の配置方向によりトランジスタの特性が異なってしまう。【解決手段】 オリエンテーションフラット2を有する基板1上に、長辺がオリエンテーションフラット2の直交する方向のオフセットの回転軸に平行に配置されたエミッタコンタクト3aが設けられている。これにより、エミッタコンタクト3aの配置方向によるN型エピタキシャル層4のエッチング量が理論上最小となる。従って、従来に比べて、トランジスタのコレクタ・エミッタ間の耐圧が向上し、また電流増幅率hFEの安定化が図られる。また、トランジスタの動作速度が高速化される。
請求項１：
基板上方のエミッタコンタクトにエミッタ領域が形成されている自己整合型バイポーラトランジスタにおいて、前記基板のオフセットの回転軸方向に対して、前記エミッタコンタクトの長辺が特定の方向に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/3065
H01L 29/72
, H01L 21/302 J
