特許

J-GLOBAL ID：200903000228323271

半導体ウエーハの酸化方法

発明者： 藤巻 延嘉
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192726
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022410
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエーハ上に高品質の酸化膜を再現性よく形成する。【構成】 半導体ウエーハを熱処理炉にて酸化及び必要に応じてアニール処理して酸化膜を形成した後、前記ウエーハを前記熱処理炉から取り出す際に、該熱処理炉へ送り込む雰囲気ガスに水蒸気を含ませ、雰囲気ガスの隙間線速を200cm/min以上とする。ウエーハを取り出す際の雰囲気ガスが水蒸気を含まない乾燥ガスの場合は、水素を含む雰囲気による熱処理を追加して行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハを熱処理炉にて酸化する方法において、前記酸化処理後に前記半導体ウエーハを前記熱処理炉から取り出す際に、該熱処理炉から炉外へ流出させる雰囲気ガスを水蒸気を含むガスとし、且つ該雰囲気ガスの流量を前記熱処理炉の内径と該熱処理炉に収容した前記半導体ウエーハとの間の隙間断面積で割った値(以下「隙間線速」と言う。)を200cm/min以上とすることを特徴とする半導体ウエーハの酸化方法。