特許
J-GLOBAL ID：200903000230698843
過熱検知回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199996
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064754
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 低コスト化及び小型化が図れる過熱検知回路の構造を提供する。【構成】 逆バイアスされたダイオード1と、そのダイオード1のリーク電流がそのベース電流となるように接続されたNPNトランジスタ3とを備え、温度上昇によるダイオード1のリーク電流の増加をNPNトランジスタ3の動作点の変化として捉えてパワーデバイスの温度異常を検知する。【効果】 ダイオード1及びNPNトランジスタ3をパワーデバイスまたはパワーデバイス駆動集積回路と同一の半導体基板に形成することにより低コスト化及び小型化が図れる。
請求項（抜粋）：
パワーデバイスの発熱による温度異常を検知する過熱検知回路であって、逆バイアスされたPN接合と、そのPN接合のリーク電流がそのベース電流となるように接続されたバイポーラトランジスタとを備え、前記バイポーラトランジスタの動作点により前記パワーデバイスの温度異常を検知することを特徴とする過熱検知回路。
IPC (3件)：
H01L 23/58
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 23/56 D
, H01L 29/72
