特許

J-GLOBAL ID：200903000231966370

半導体膜の製造方法

発明者： 榊原 伸義 ,  長谷部 裕治 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289886
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129200
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 絶縁基板の基板材料に制約をうけることなく該絶縁基板上に単結晶半導体膜を形成する。【構成】 非晶質Si薄膜3’の表面側から、結晶軸の揃った単結晶Siウエハ4の突起4aによるシードを供給し、このシードから固相成長させる。これにより、単結晶Siウエハ4できまる所定の方位を有する単結晶Si薄膜3が形成される。その後、2枚のウエハ1,4を貼り合わせたまま酸化し、接触部に酸化膜5を形成し、HF水溶液に浸漬することで該酸化膜5をエッチング除去する。これにより、単結晶Si薄膜3が形成されたウエハ1とシード用単結晶Siウエハ4とが分離される。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、その表面に複数の突起が形成された単結晶半導体基板とを用意し、前記絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜表面に対向して前記単結晶半導体基板を前記突起の形成された表面側において配置し、両者を接触させる工程と、前記非晶質半導体膜および前記単結晶半導体基板を熱処理して単結晶半導体基板の突起先端部をシードとして前記非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、該結晶化半導体膜と前記単結晶半導体基板の接する領域が酸化物により完全分離するまで酸化する工程と、該酸化物をエッチング除去することにより、前記結晶化半導体膜の形成された絶縁基板と前記単結晶半導体基板とを分離する工程とを含むことを特徴とする半導体膜の製造方法。