特許

J-GLOBAL ID：200903000235263217

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置

発明者： 道上 修 ,  道上 洋子
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216643
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063562
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】矩形状の整然とした粒界を有する超伝導薄膜が形成されるサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、R面サファイア基板1上にCeO2 からなる第1のバッファ層2を形成し、次いで、Sm2(1-x)Gd2xO3 (0≦x≦1)からなる第2のバッファ層3を形成し、次いで、超伝導薄膜4を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、 (a)R面サファイア基板上にCeO2 からなる第1のバッファ層を形成し、 (b)次いで、Sm2(1-x)Gd2xO3 (0≦x≦1)からなる第2のバッファ層を形成し、 (c)次いで、酸化物超伝導薄膜を形成することを特徴とするサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

FI (4件)：

H01L39/24 W ,  H01L39/24 D ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

Fターム (12件)：

4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BB11 ,  4M113CA31 ,  4M113CA44 ,  5G321AA01 ,  5G321CA05 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA46 ,  5G321CA53