特許
J-GLOBAL ID：200903000241340835
炭化珪素バルク単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161226
公開番号（公開出願番号）：特開平6-001698
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：
【要約】【目的】 結晶性及び均質性に優れた炭化珪素単結晶を再現性良く得ることを目的とする。【構成】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、原料炭化珪素粉末に遷移金属の珪素化合物を添加することのより、成長とともに変化するSi蒸気圧を一定に保ち、Siの枯渇による成長の不均質性及び炭素に起因する欠陥等を防止し、バルク炭化珪素単結晶の結晶性及び均質性を向上させる。
請求項（抜粋）：
昇華再結晶法によって、種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素バルク単結晶の製造方法において、炭化珪素粉末に遷移金属の珪素化合物を添加することを特徴とする炭化珪素バルク単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
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