特許

J-GLOBAL ID：200903000244482657

半導体素子保護用組成物および半導体装置

発明者： 山川 君男 ,  内藤 浩佳 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147072
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335790
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 耐湿性、耐熱性に優れる半導体装置を形成できる半導体素子保護用組成物、およびその半導体装置を提供する。【構成】 (I)紫外線硬化型、付加反応硬化型等の硬化性シリコーン組成物100重量部および(II)平均粒子径が1〜200μmであるフッ素樹脂微粉末またはフッ素樹脂により表面被覆された有機もしくは無機微粉末1〜400重量部からなる半導体素子保護用組成物、および半導体素子が該半導体素子保護用組成物の硬化物により被覆されてなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

(I)硬化性シリコーン組成物 100重量部および(II)平均粒子径が1〜200μmであるフッ素樹脂微粉末またはフッ素樹脂により表面被覆された有機もしくは無機微粉末 1〜400重量部からなる半導体素子保護用組成物。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 9/04 ,  C08L 27/12 LGE ,  C08L 83/04 LRY