特許
J-GLOBAL ID:200903000245066452

セラミック拡散制限層の製造方法ならびにこの層の使用方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 倉内 基弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-153790
公開番号(公開出願番号):特開2000-053479
出願日: 1999年06月01日
公開日(公表日): 2000年02月22日
要約:
【要約】【課題】 拡散制限性の多孔質のセラミック層で、球状表面への適合性とナノメータ範囲の細孔を有するものの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、5〜50m/gの範囲の固有の表面積と20〜450nmの平均初粒子寸法をもつ酸化物セラミック粉末をまず800°C〜1150°C間の温度範囲で熱的に処理し、未処理の酸化物セラミック粉末と混合し、続いて耐高温度性の基板上に被着し、1000°C〜1350°Cの範囲の温度で焼き付ける。選択的に、熱的に予処理された酸化物セラミック粉末の代わりに再結晶性ガラス粉末を適用できる。ただしこの場合、焼付け温度は、850°C〜1000°Cで間にある。
請求項(抜粋):
細分散セラミック粉末の使用下でセラミック拡散制限層を製造する方法であって、5〜50m2/gの範囲のブルナウアー-エメット-テラー(BET)法に従う固有の表面積と20〜450nmの平均の初粒子寸法を有する酸化物セラミック粉末を使用し、まずその一部を800°C〜1150°Cの温度範囲で熱的に予処理し、ついで酸化物セラミック粉末の未処理部分と混合し、続いて耐高温度性基板上に被着し、1000°C〜1350°Cの範囲の温度で焼き付けることを特徴とするセラミック拡散制限層の製造方法。

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