特許
J-GLOBAL ID：200903000248151698
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-141250
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326421
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置に関し、周期的利得領域の間を通るキャリアによる漏れ電流を低減させて、低しきい値電流Ith、高特性温度動作化、高速動作を実現する。【解決手段】 量子ドット1を周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも量子ドット1が設けられていない領域に量子井戸層2を設け、量子井戸層2を、量子ドット1を設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触させる。
請求項（抜粋）：
量子ドットを活性層に用いた半導体レーザ装置において、量子ドットを周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも前記量子ドットが設けられていない領域に量子井戸層を設け、前記量子井戸層が、前記量子ドットを設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触していることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA73
, 5F073AA75
, 5F073CA07
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA35
, 5F073EA23
