特許
J-GLOBAL ID：200903000250695557
酸化シリコン薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210595
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066191
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】 酸化シリコン薄膜を形成する工程において、シリコン基板表面をSiH2Cl2等のシラン系ガスにさらす事によって、表面のコンタミネーション(汚染物)、自然酸化膜を除去し、その後直ちに酸化する事により薄膜酸化膜を形成する。【効果】 酸化膜耐圧劣化がなく、信頼性の高い高品質の薄膜酸化膜が形成できる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に酸化シリコン薄膜を形成する際に、前記シリコン基板を少なくともエッチング作用を行うに十分な量のシラン系ガスを含有する非酸化性雰囲気下に晒し、基板上の不純物膜を少なくとも除去したあと、直ちに酸化処理に付して酸化シリコン薄膜を形成することを特徴とする酸化シリコン薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3065
