特許

J-GLOBAL ID：200903000252797128

磁気メモリ

発明者： 南方 量二 ,  道嶋 正司 ,  林 秀和
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085565
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273758
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 従来の磁気トンネル接合(MTJ)素子をMOSトランジスタのゲートに接続した構成の磁気メモリでは、MTJ素子のMR比が不十分なため、MTJ素子の記憶状態に応じて、MOSトランジスタを確実にON/OFFすることができなかった。【解決手段】 二つのMTJ素子11及び12をMOSトランジスタ13のゲートに接続するとともに、外部磁界に対してMTJ素子11及び12は逆の抵抗変化を有する構成とする。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタと、該MOSトランジスタのゲートに接続された二つの磁気トンネル接合素子とを具備する磁気メモリであって、該二つの磁気トンネル接合素子は外部磁界に対して互いに逆の抵抗変化を示すことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 A ,  H01L 43/08 Z

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA28