特許

J-GLOBAL ID：200903000259947214

半導体装置

発明者： 国分 政利 ,  西薗 和則
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005842
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ショットキバリアダイオード(以下、SBDと称す。)を有する半導体装置に関し、電流分布を均一にすることによりアノード/カソード間の直列抵抗を低減することが可能なSBDを有する半導体装置の提供を目的とする。【構成】少なくとも表層が一導電型となっている半導体基体11と、該半導体基体11と接触して該半導体基体11との間でショットキ接合が形成されているドーナツ状の第1の電極18と、該第1の電極18の外側周縁部を取り囲むように形成され、かつ前記半導体基体11と接触して該半導体基体11との間でオーミックコンタクトが形成されている第2の電極19と、前記第1の電極18の内側周縁部の内側に形成され、かつ前記半導体基体11と接触して該半導体基体11との間でオーミックコンタクトが形成されている第3の電極20とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体層と、該半導体層と接触して該半導体層との間でショットキ接合が形成されている環状の第1の電極と、該第1の電極の外側周縁部を取り囲むように形成され、かつ前記半導体層と接触して該半導体層との間でオーミックコンタクトが形成されている第2の電極と、前記第1の電極の内側周縁部の内側に形成され、かつ前記半導体層と接触して該半導体層との間でオーミックコンタクトが形成されているとともに該第2の電極と電気的に接続される第3の電極とを有する半導体装置。