特許
J-GLOBAL ID：200903000269697186
半導体基板及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247173
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077101
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、貼り合わせ法による半導体基板の貼り合わせ面の凹凸に起因する微小なボイドの発生を抑制し、接合力増大をはかり、熱膨張による応力に打ち勝って強固に接合することを目的とする。【構成】 複数の基板を貼り合わせて形成する半導体基板の作製方法において、前記貼り合わせる基板としての第1の基板(1)表面に絶縁層(2)を形成する工程と、前記絶縁層(2)表面に前記貼り合わせの接合力を増大する不純物を注入して接合促進層(3)を形成する工程と、前記第1の基板の前記接合促進層(3)に、第2の基板(4)を貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた基板を加熱して接合する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の作製方法及びそれにより作製される半導体基板。
請求項（抜粋）：
複数の基板を貼り合わせることにより作製される半導体基板において、前記貼り合わせ界面に、該貼り合わせの接合力を増大させる不純物を注入した接合促進層を有し、該接合促進層を介して接合されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
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