特許

J-GLOBAL ID：200903000275759495

投影露光方法

発明者： 佐藤 俊一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251574
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082650
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板のレジストパターンの線幅のばらつきを削減する投影露光方法を提供する。【解決手段】 マスクパターンを介してレジストを露光することによりレジスト上にデバイスパターンを形成する投影露光方法において、メモリセル内のラインアンドスペースにはCrマスク1を使用し、その周辺部分にはハーフトーン位相シフトマスク2を使用する。

請求項（抜粋）：

マスクパターンを介してレジストを露光することによりレジスト上にデバイスパターンを形成する投影露光方法において、メモリセル内のラインアンドスペースにはCrマスクを使用し、その周辺部分にはハーフトーン位相シフトマスクを使用することを特徴とする投影露光方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/30 502 P ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 27/10 681 F

Fターム (11件)：

2H095BA01 ,  2H095BA06 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB36 ,  2H097AA03 ,  2H097CA17 ,  2H097GB02 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5F083PR01