特許

J-GLOBAL ID：200903000275802650

半導体集積回路

発明者： 下邨 研一 ,  島野 裕樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347385
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189957
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 低い電源電圧下でも高速動作と低消費電力を両立する半導体集積回路を提供する。【解決手段】 本発明の半導体集積回路は、基板部の電位を制御する基板電位制御端子を備えるMOSトランジスタと、当該MOSトランジスタの入力信号の立ち上がり及び立ち下がりタイミングに応じて、該MOSトランジスタの基板電位制御端子の電位を、該MOSトランジスタのしきい値が低くなる方向に、所定の期間、パルス状に変化させる制御回路とを備える。

請求項（抜粋）：

基板部の電位を制御する基板電位制御端子を備えるMOSトランジスタと、当該MOSトランジスタのゲートへの入力信号の立ち上がり及び立ち下がりタイミングに応じて、該MOSトランジスタの基板電位制御端子の電位を、該MOSトランジスタのしきい値が低くなる方向に、所定の期間、パルス状に変化させる制御回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 29/78 301 X ,  G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/06 102 F ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 29/78 613 Z