特許
J-GLOBAL ID：200903000282030646

半導体レーザ装置及びその製造方法、光ピックアップ装置

発明者：
田村 聡之

田村 聡之 について

, 
池戸 教夫

池戸 教夫 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (13件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  米田 圭啓 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172841
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032925
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】埋め込み型構造の半導体レーザ装置において、電流ブロック層の上に形成された半導体層の結晶性及び表面モフォロジーを向上させ、レーザ発振閾値電流が小さく且つ信頼性が高い半導体レーザ装置を実現できるようにする。【解決手段】基板1の上に、バッファ層2と、n型クラッド層3と、n型ガイド層4と、多重量子井戸構造の活性層5と、第1のp型ガイド層6と、電流ブロック層7とが順次積層されている。電流ブロック層7は、n型のAl0.15Ga0.85N層8とn型のGaN層9とからなり、電流が流れるストライプ状の窓部20が形成されている。GaN層9の上には第2のp型ガイド層10と、p型クラッド層11と、p型コンタクト層12とが形成されている。p型コンタクト層12上にはNi系材料からなるp型電極13が形成され、基板1裏面にはTi系材料からなるn型電極14が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された活性層と、 前記活性層の上に形成された第1導電型の窒化物半導体からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に形成され、第2導電型の窒化物半導体を含む複数の薄膜が積層されてなり且つ溝部を有する積層膜と、 前記積層膜の上に前記溝部を埋めるように形成された第1導電型の窒化物半導体からなる第2の半導体層とを備え、 前記積層膜の上部に形成された薄膜は、窒化ガリウムからなる薄膜であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/22
FI (3件)：
H01S5/343 610 ,  G11B7/125 A ,  G11B7/22
Fターム (16件)：
5D789AA38 ,  5D789BA01 ,  5D789FA05 ,  5D789FA17 ,  5D789NA04 ,  5F173AA06 ,  5F173AA48 ,  5F173AF84 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP35 ,  5F173AP45 ,  5F173AR23 ,  5F173MD34 ,  5F173MD35 ,  5F173SC05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235011   出願人：ローム株式会社
審査官引用 (12件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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