特許
J-GLOBAL ID:200903000284414271
両面配線テープキャリアの製造方法並びにこれを用いたテープキャリア
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-069441
公開番号(公開出願番号):特開2003-273170
出願日: 2002年03月14日
公開日(公表日): 2003年09月26日
要約:
【要約】【課題】 層間接続部のビア内がめっき法により金属で埋められる構造であり、かつ該めっき金属内部にボイドが残存せず、さらにプロセスが簡便で安価に製造できる両面配線テープキャリアの製造方法の提供を課題とする。【解決手段】 その両面に少なくとも銅層を含む金属層が接着剤を介せずに設けられた金属被覆ポリイミド基板を用いて、金属被覆ポリイミド基板の片面あるいは両面の金属層にフォトエッチング法によりビア開孔用パターンを形成し、これをマスクとしてアルカリ溶液によるポリイミドエッチング法、あるいは炭酸ガスレーザーまたはArレーザーを照射してポリイミド層にブラインドビアホールを形成し、外部ランドビアホール底面に露出する金属層を除去して銅層を露出させ、該ブラインドビアホール底面に露出した銅層表面よりめっきを析出させビア開孔用パターンを構成する金属層と電気的に接続する。
請求項(抜粋):
その両面に銅層からなる金属層が接着剤を介せずに設けられた金属被覆ポリイミド基板を用いて下記主要工程により作成されることを特徴とする両面配線テープキャリアの製造方法。1)該金属被覆ポリイミド基板の片面あるいは両面の金属層にフォトエッチング法により ブラインドビアホール開孔用パターンを形成する工程。2)該ブラインドビアホール開孔用パターンをマスクとしてアルカリ溶液によるポリイミ ドエッチング法により、あるいは炭酸ガスレーザーまたはArレーザーレーザーを照 射して露出するポリイミドを除去してブラインドビアホールを形成する工程。3)該ブラインドビアホール底面よりめっきを析出させビア開孔用パターンを構成する金 属層と電気的に接続する工程。
IPC (2件):
H01L 21/60 311
, B23K 26/00 330
FI (2件):
H01L 21/60 311 W
, B23K 26/00 330
Fターム (5件):
4E068AF01
, 4E068DA11
, 4E068DB10
, 5F044MM04
, 5F044MM06
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