特許
J-GLOBAL ID：200903000285986716
光ディスク原盤の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏木 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091502
公開番号（公開出願番号）：特開平11-296915
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 トラックピッチの狭い大容量・高密度の光ディスクを成形する光ディスク原盤を得ることができる光ディスク原盤の製造方法を得る。【解決手段】 被エッチング材1が、その被エッチング材1上のフォトレジスト膜2に形成された溝4aをマスクにしてエッチングされる。これにより、被エッチング材1にエッチングにより形成される溝5の溝幅がフォトレジスト膜2に形成された溝4aの底幅と略同一になる。また、被エッチング材1上に形成されるフォトレジスト膜2の溝4aの底幅が、光ビームの光量とフォトレジスト膜2の膜厚とについてそれぞれを調整することにより、光ビームのビームスポット径以下に設定される。これにより、トラックピッチの狭い大容量・高密度の光ディスクを成形する光ディスク原盤が得られる。
請求項（抜粋）：
被エッチング材上にポジ型のフォトレジスト膜を形成する第一工程と、光ビームにより所定のパターンを前記フォトレジスト膜に露光して潜像を形成する第二工程と、露光されて潜像が形成された前記フォトレジスト膜を現像して前記被エッチング材上のフォトレジスト膜に所定のパターンの溝を形成する第三工程と、前記被エッチング材上に形成された前記フォトレジスト膜をマスクにしてその被エッチング材をエッチングする第四工程と、エッチングされた前記被エッチング材上の前記フォトレジスト膜を除去する第五工程と、前記フォトレジスト膜を除去された前記被エッチング材上に導電皮膜を形成する第六工程と、前記導電皮膜上に金属層を電鋳により形成する第七工程と、前記被エッチング材上に形成された前記金属層を剥離する第八工程と、を備える光ディスク原盤の製造方法。
引用特許：
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