改良した誘電特性を有する電子回路構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262547
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164343
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】改良した誘電特性を有する半導体デバイスと半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 CMOS回路では層10の上表面に沿って、多数のNウエル領域12およびPウエル領域14が形成される。領域12a、12b、14a、および14bは、領域18により、互いに電気的に分離している。MOS形FETは領域12および領域14のいずれにおいても形成が可能である。デジタル回路において、CMOS論理回路を取り込むために、個々の領域12および領域14を形成することが可能である。Nウエル領域12のペアはPウエル領域14のペアの隣に形成され、そして、MOSFETが領域12aおよび領域14aにおいて製造される。形成された領域12および領域14とともに、層10の上表面はパッド酸化膜が取り除かれ、層10の表面に高品質シリコン酸化膜22が厚さ約60Åまで熱成長を行う。

請求項（抜粋）：

トランジスタの形成に適した半導体層から成り、かつ、該半導体層上に形成された半導体デバイスであって、第一表面とこれに対向する第二表面、第一表面に沿った第一表面領域、第二表面に沿った第二表面領域、および、第一表面領域と第二表面領域との間にある中間領域とを有する絶縁層を有し、該絶縁層の材料は、第一表面沿いよりも中間領域にて濃度の大きい種を含んでいることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , H01L 21/265 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/316 P , H01L 27/08 321 A , H01L 21/265 Y , H01L 27/04 C , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

Fターム (56件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ20 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF03 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BG14 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BH01 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC39 , 5F140BA01 , 5F140BD06 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE01 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE13 , 5F140BE15 , 5F140BE16 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ18 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK16 , 5F140BK29 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC08

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