特許
J-GLOBAL ID：200903000299398272
バイポ-ラトランジスタ及びその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-070621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047773
出願日： 1991年03月11日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 バイポーラトランジスタのベース領域と絶縁層との界面に望ましくない準位が存在すると、エミッタ領域からベース領域へのキャリアの注入効率が低下し高い電流増幅率が得られないので、その欠点のないものを提供する。【構成】 半導体基板11内に内部ベース領域とそれに接して取囲む外部ベース領域71が形成され、または基板11上及び板内に内部ベース領域とそれに接する外部ベース領域71の半導体層が形成される。内部ベース領域または半導体層上に他の半導体層が形成され、その半導体層上には外部に臨む窓44を有する絶縁層53が形成される。他の半導体層内には窓に臨んでいるエミッタ領域72と窓に臨んでおらず且つエミッタ領域に接してそれを取囲む他の半導体領域73とが形成されている。エミッタ領域72上には窓を通してエミッタ電極層82が付され、他の半導体領域73により上記欠点を回避した。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有し且つコレクタ領域として作用する半導体基板を有し、上記半導体基板上に、それを外部に臨ませる第1の窓を有する第1の絶縁層が形成され、上記半導体基板内の上面側に、上記第1の窓に臨む領域の上記第1の窓側において、第1の導電型とは逆の第2の導電型を有し且つ外部ベ-ス領域として作用する第1の半導体領域が、環状に形成され、上記半導体基板上に、ベ-ス電極層として作用する第1の電極層が、上記第1の絶縁層上から、上記第1の窓の内側面上を通って、上記半導体基板及び上記第1の半導体領域を外部に臨ませ且つ上記第1の窓に比し小さな第2の窓を形成するように、上記第1の半導体領域上に延長し且つそれに連結して形成され、上記半導体基板上に、第2の絶縁層が、上記第1の電極層上から、上記半導体基板及び上記第1の半導体領域を外部に臨ませ且つ上記第2の窓に比し小さな第3の窓を形成するように、上記第2の窓の内側面上に延長して形成され、上記半導体基板上に、上記半導体基板及び上記第1の半導体領域の上記第2の窓に臨む領域において、第2の導電型を有し且つ内部ベ-ス領域として作用する第1の半導体層と、第2の半導体層とが、それらの順に積層して形成され、上記半導体基板上に、第3の絶縁層が、上記第3の窓の内側面上から、上記第2の半導体層を外部に臨ませ且つ上記第3の窓に比し小さな第4の窓を形成するように、上記第2の半導体層上に延長して形成され、上記第2の半導体層が、第1の導電型を有し且つ上記第4の窓に臨んでいるとともにエミッタ領域として作用する第2の半導体領域と、上記第4の窓に臨んでいず且つ上記第2の半導体領域をそれと接して取囲んでいる第3の半導体領域とを有し、上記半導体基板上に、エミッタ電極層として作用する第2の電極層が、上記第2の絶縁層上から、上記第3の絶縁層上を通り且つ上記第4の窓を通って上記第2の半導体領域上に延長し且つそれに連結して形成されていることを特徴とするバイポ-ラトランジスタ。
IPC (2件)：
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