特許
J-GLOBAL ID:200903000299854537

EL素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤谷 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-174324
公開番号(公開出願番号):特開平8-102359
出願日: 1995年06月15日
公開日(公表日): 1996年04月16日
要約:
【要約】【目的】硫化ストロンチウム:セリウム(SrS:Ce)EL素子の青色純度と発光輝度の両方を向上させること。【構成】EL素子400 の硫化ストロンチウム:セリウム(SrS:Ce)EL素子100 を製造する際に、セリウム(Ce)添加量を制限し、適切な熱処理を施して、セリウム(Ce)間相互距離を増大して青色成分が減少することを防ぐ。それで近傍セリウム(Ce)へのエネルギー伝達を抑制することによって青色純度の高い、高輝度発光硫化ストロンチウム:セリウム(SrS:Ce)EL素子を製造することができる。またキャップ層24を設けて発光層14に対して保護の作用をさせ、発光層14の発光効率の低下を防ぐ。1〜10時間という熱処理時間によって最適な発光輝度の向上効果が得られる。
請求項(抜粋):
少なくとも光取り出し側を光学的に透明な材料を用いて形成したEL素子の製造方法において、硫化ストロンチウム(SrS) を母体材料とし、セリウム(Ce)添加量が0.01at% 以上0.3at%未満である発光層を形成した後に、該発光層の上に何も形成しない状態において400 °C以上550 °C以下の熱処理を施すことを特徴とするEL素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/56 CPC ,  H05B 33/14
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平2-236991
  • 特開平4-036992
  • 特開平3-093189
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