特許
J-GLOBAL ID:200903000303891817

インクジェットプリント用疎水性表面処理皮膜及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 康男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-070795
公開番号(公開出願番号):特開平8-239622
出願日: 1995年03月03日
公開日(公表日): 1996年09月17日
要約:
【要約】【目的】 多種の疎水性層を有する基材の疎水性表面を処理することにより、水性インクを用いたインクジェットプリントによる画像を、高細線、高濃度、かつ、堅牢にプリントすることができるようにする疎水性表面処理皮膜を提供する。【構成】 疎水性層を有する基材の疎水性表面に、化合物群Aのうち少なくとも1種、化合物群Bのうち少なくとも1種及び化合物群Cのうち少なくとも1種を、単独系又は混合系の水溶液又は水分散液として、乾燥後の膜厚が2〜30μmになるように塗工することにより形成されてなるインクジェットプリント用疎水性表面処理皮膜。
請求項(抜粋):
疎水性層を有する基材の疎水性表面に、下記化合物群Aのうち少なくとも1種、下記化合物群Bのうち少なくとも1種及び下記化合物群Cのうち少なくとも1種を、単独系又は混合系の水溶液又は水分散液として、乾燥後の膜厚が2〜30μmになるように塗工することにより形成されてなることを特徴とするインクジェットプリント用疎水性表面処理皮膜。化合物群A;(1)一般式(I)HOOC-R1 -COOH (I)(式中、R1 は、炭素数3〜8のアルキル基又は無置換のアリール基を表す。)で表される二塩基酸とポリグリコール類とからなるポリエステル樹脂であって、前記二塩基酸由来の重合度が50〜1000であって、前記ポリグリコール類由来の重合度が50〜1000であり、水に溶解又は分散しうる化合物、(2)下記一般式(II)【化1】(式中、R2 は、水素又はメチル基を表し、R3 、R4 は、同一又は異なって、水素、ナトリウム、アミノ基、メチル基、エチル基又はブチル基を表し、m1 は、整数を表し、n1 は、整数を表し、m1 とn1 との和は、50〜2000である。)で表されるポリ(メタ)アクリレート、(3)重合度が500〜2000であって、かつ、けん価度が70〜90モル%であるポリビニルアルコール、及び、ポリビニルピロリドン、(4)下記一般式(III)【化2】(式中、M1 、M2 は、同一又は異なって、水素、ナトリウム又はカリウムを表し、n2 は、50〜2000の整数を表す。)で表される無水マレイン酸-酢酸ビニル共重合体、及び、(5)天然又は半合成のポリサッカライド類。化合物群B;(1)下記一般式(IV)【化3】(式中、R5 は、炭素数7〜20のアルキル基を表し、n3 は、8〜16の整数を表す。)で表される化合物、及び、下記一般式(V)【化4】(式中、R6 は、炭素数7〜13のアルキル基を表し、n4 は、6〜12の整数を表す。)で表される化合物、並びに、(2)下記一般式(VI)【化5】(式中、R7 は、炭素数6〜13のアルキル基を表し、R8 は、水素又はナトリウムを表す。)で表される化合物、及び、下記一般式(VII)【化6】(式中、R9 は、炭素数7〜16のアルキル基を表し、n5 は、2〜8の整数を表し、R10は、水素又はナトリウムを表す。)で表される化合物。化合物群C;(1)下記一般式(VIII)【化7】(式中、n6 は、1〜8の整数を表す。)で表される化合物、下記一般式(IX)【化8】(式中、n7 は、2〜10の整数を表す。)で表される化合物、下記一般式(X)【化9】(式中、R11は、メチル基又はエチル基を表し、n8 は、2〜10の整数を表す。)で表される化合物、メタニトロベンゼンスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホン酸ナトリウム、尿素及び吸水性ウレタンポリマー、並びに、(2)けい酸、けい酸塩、亜鉛華、酸化チタン及び炭酸カルシウム。
IPC (10件):
C09D167/02 PKZ ,  B41M 5/00 ,  C08J 7/04 CEV ,  C08J 7/04 CFD ,  C09D 5/00 PSD ,  C09D105/00 PCS ,  C09D129/04 PFN ,  C09D133/06 PFX ,  C09D171/02 PLQ ,  D21H 19/16
FI (10件):
C09D167/02 PKZ ,  B41M 5/00 B ,  C08J 7/04 CEV J ,  C08J 7/04 CFD J ,  C09D 5/00 PSD ,  C09D105/00 PCS ,  C09D129/04 PFN ,  C09D133/06 PFX ,  C09D171/02 PLQ ,  D21H 1/34 C

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