特許
J-GLOBAL ID：200903000305390122
動作素子の真空封止の構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329738
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148467
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 製造途中で、基板6の高温(600 °C以上)加熱による基板6上の導体パターンや電極の損傷や、基板6の加熱温度と冷却後温度との差が激しいことによる外殻の歪みや亀裂を防止し、外殻内部の犠牲層のエッチング除去を完璧に行うことが可能で、しかも、動作素子(振動体)2を動作させるための電極と外殻との間に浮遊容量が発生しない動作素子の真空封止の構造を提供する。【解決手段】 基板6の面上12に振動体2を、その上側に振動体2を覆う犠牲層5a,5b,5cをそれぞれ形成する。その上側に酸化シリコン膜10aを基板6を250 °C以下に加熱した状態で成膜する。次に、酸化シリコン膜10aに設けた貫通孔7からエッチング液を浸入させ犠牲層5a,5b,5cをエッチング除去し、真空中で酸化シリコン膜10aの内部8を真空にし、酸化シリコン膜10bを成膜して外殻3を完成させると共に貫通孔7を閉鎖し振動体2を真空封止する。
請求項（抜粋）：
基板の素子形成面に動作素子が形成され、この動作素子の形成領域の上側は外殻によって覆われて、外殻の内部は真空空間と成し、前記動作素子が前記外殻の真空空間内に収容封止されており、前記外殻は酸化シリコンを主成分とした膜で形成されていることを特徴とする動作素子の真空封止の構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/02 B
, H01L 23/08 A
