特許
J-GLOBAL ID：200903000306064580
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121437
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】ガラス基板上に薄膜の堆積とフォトリソグラフィ,エッチングを行って作製する薄膜トランジスタにおいて、従来の薄膜トランジスタの段差起因によって起こる静電破壊及びフォトレジストの密着性・被覆性の悪化によるエッチング不良を低減し、薄膜トランジスタの歩留り向上及び信頼性の向上を目的とする。【構成】第1クロム膜4,絶縁膜3,アモルファスシリコン膜1,第2クロム膜2等の薄膜を堆積させるガラス基板5に、凹型の段差をつくり込んでおくことにより、前述の各薄膜を堆積後の下地段差をなくしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に薄膜の堆積と、フォトリソグラフィ,エッチングを繰り返し行うことにより作製する薄膜トランジスタの製造方法において、薄膜の堆積前に、あらかじめガラス基板に段差をつけておくことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
