特許

J-GLOBAL ID：200903000312140670

スパッタリングターゲット及びスパッタリング方法

発明者： 井浦 重美 ,  川俣 健
出願人/特許権者： オリンパス株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  高柴 忠夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255380
公開番号（公開出願番号）：特開2006-070324
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。【解決手段】 スパッタリングに用いられるターゲット電極は、バッキングプレート3の上に石英板2を介してターゲット1が固定されている。バッキングプレート3には、冷却用配管が設けられており、ターゲット1の下面を冷却するようになっている。ターゲット1は、MgF2からなり、その密度は、MgF2のバルク密度に対して90%以上のものが使用される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜を形成するために用いられるスパッタリングターゲットであって、ターゲット材料が金属フッ化物であり、その密度がバルクの密度の90%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

C23C14/34 A ,  C23C14/34 M ,  C23C14/34 S ,  C23C14/06 G

Fターム (6件)：

4K029BA42 ,  4K029BC07 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC26

引用特許：

出願人引用 (1件)

• スパッタリング用ターゲット装置とスパッタリング方 法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198602   出願人：オリンパス光学工業株式会社