特許

J-GLOBAL ID：200903000315232525

改善された磁気抵抗を有するスピン・バルブ・センサ

発明者： ハーダヤル・シン・ジル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250351
公開番号（公開出願番号）：特開平10-105929
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 改善された磁気抵抗(MR)効果を有するスピン・バルブ・センサを開示する。【解決手段】 静止状態の下で、自由層及び拘束層の磁化方向が互いに垂直となり、自由MR層内を流れる電流が自由層の磁化方向に対して実質的に45 ゚の角度で流れるように方向付けられる、スピン・バルブ磁気抵抗読取りセンサが提供される。自由層の磁化方向に対して45 ゚の角度で流れる電流は、自由MR層内に存在するAMR効果をスピン・バルブ・センサのGMR効果に加算し、全体的な磁気抵抗効果を約25%乃至33%増加させる。

請求項（抜粋）：

エア・ベアリング面(ABS)を有するスピン・バルブ(SV)磁気抵抗センサであって、中央領域により分離される端部領域と、前記中央領域内に形成される磁気抵抗(MR)素子であって、前記中央領域内に形成され、前記エア・ベアリング面に垂直な磁化方向を有する拘束層と、前記中央領域内に形成され、前記拘束層の磁化方向に垂直な磁化方向を有する自由層と、前記中央領域内に形成され、前記自由層と前記拘束層との間に配置されるスペーサ層と、を含む、前記磁気抵抗素子と、前記自由層と接触する第1及び第2の電気リードであって、前記電気リードの各々が、電流の向きを前記自由層の磁化方向に対して0 ゚よりも大きく90 ゚未満に方向付ける斜めの導通エッジを有し、前記斜めの導通エッジの各々が前記自由層と隣接する、前記電気リードと、を含む、スピン・バルブ磁気抵抗センサ。