特許

J-GLOBAL ID：200903000318449592

半導体化学センサ及びその製造方法

発明者： 杉浦 義幸
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052749
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242132
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 チップ面積を小さくできる構造の半導体化学センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型不純物基板2の第1主面21にゲート絶縁膜3を介して化学量感応膜4、5を有する半導体化学センサ1において、前記第1主面21にソース用第1導電型高濃度不純物層6及びチャネル用第2導電型不純物層8を有し、前記基板2の第2主面22にドレイン用第1導電型高濃度不純物層7を有することを特徴とする半導体化学センサ。及び前記半導体化学センサの製造方法。

請求項（抜粋）：

第1導電型不純物基板の第1主面にゲート絶縁膜を介して化学量感応膜を有する半導体化学センサにおいて、前記第1主面にソース用第1導電型高濃度不純物層及びチャネル用第2導電型不純物層を有し、前記基板の第1主面と反対側の主面である第2主面にドレイン用第1導電型高濃度不純物層を有することを特徴とする半導体化学センサ。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 R ,  H01L 29/78 301 U

Fターム (4件)：

5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EB13 ,  5F040EB15