特許
J-GLOBAL ID：200903000323650654
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096036
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275388
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 Cu系材料層のドライエッチングを、レジスト・マスクが使用できる温度域で実現する。【構成】 Cu層2を主としてヨウ化物Cu2 I2 の形で揮発除去する。Cu2I2 の蒸気圧はCu2 Cl2 やCu2 Br2 に比べて高いため、ウェハ温度が200°C程度でも十分にエッチング反応生成物が脱離し、エッチングが進行する。従来よりもプロセスが低温化できるので、レジスト・マスク3が使用でき、工数の増加等を招かない。エッチング・ガスとしてはHI、HI/HCl混合ガス、HI/HBr混合ガスを用いる。条件によりCu2 Cl2 やCu2 Br2 も側壁保護に利用でき、異方性形状を有するCu配線2aが形成できる。エッチング反応系に酸素が関与していないので、Cu層2の酸化に起因するエッチング残渣の発生や配線抵抗の増大等も生じない。
請求項（抜粋）：
ヨウ化水素を含むエッチング・ガスを用い、被エッチング基板を加熱しながら銅系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許：
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