特許

J-GLOBAL ID：200903000328425730

絶縁膜の改質方法

発明者： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  湯山 芳章
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281158
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135205
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】CVD法により形成されたホウケイ酸ガラス膜を改質する絶縁膜の改質方法に関し、絶縁膜、特にホウケイ酸ガラス膜が介在する導電体層間の寄生容量を低減することが可能なホウケイ酸ガラス膜の改質方法を提供する。【構成】成膜用反応ガスを用いて基板1上にホウケイ酸ガラス膜(BSG膜) 14を形成する工程と、前記ホウケイ酸ガラス膜14を改質用反応ガスのプラズマに曝す工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

成膜用反応ガスを用いて基板上にホウケイ酸ガラス膜(BSG膜) を形成する工程と、前記ホウケイ酸ガラス膜を改質用反応ガスのプラズマに曝す工程とを有する絶縁膜の改質方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31