特許
J-GLOBAL ID：200903000329536578
圧電/電歪磁器組成物の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-037008
公開番号（公開出願番号）：特開2008-260674
出願日： 2008年02月19日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きい(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物を実現する。【解決手段】混合した素原料の粉末を大気雰囲気中において最高温度が600°C以上800°C以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第1の工程と、第1の工程により得られ粉末をBET比表面積が5m2/g以上15m2/g以下となるように粉砕する第2の工程と、第2の工程により得られた粉末を最高温度が650°C以上900°C以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第3の工程と、第3の工程により得られた粉末をBET比表面積が10m2/g以下となるように粉砕する第4の工程とを経て、(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物の原料粉末を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Aサイト元素としてLi,Na及びKを含み、Bサイト元素としてNb及びTaのうちの少なくともNbを含み、Bサイト元素の総原子数に対するAサイト元素の総原子数の比が1より大きいペロブスカイト型酸化物を含む圧電/電歪磁器組成物の製造方法であって、
混合した素原料の粉末を最高温度が600°C以上800°C以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第1の工程と、
前記第1の工程により得られた粉末をBET比表面積が5m2/g以上15m2/g以下となるように粉砕する第2の工程と、
前記第2の工程により得られた粉末を最高温度が650°C以上900°C以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第3の工程と、
前記第3の工程により得られた粉末をBET比表面積が10m2/g以下となるように粉砕する第4の工程と、
を備える圧電/電歪磁器組成物の製造方法。
IPC (6件)：
C04B 35/00
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 41/24
, H01L 41/22
C04B35/00 J
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA42
, 4G030BA10
, 4G030GA08
, 4G030GA25
, 4G030GA27
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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