特許
J-GLOBAL ID：200903000335731170
末端に定量的にビニリデン基を有する高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したレジスト材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228039
公開番号（公開出願番号）：特開平8-092312
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、新規な構造法によって高収率で定量的に不飽和基であるビニリデン基を末端に導入した構造式(A)を有する高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を用いたポジ型レジストを提供することを目的とする。【構成】 下記構造式(A)で表わされる末端に定量的にビニリデン基構造有する高分子化合物【化1】(式中、式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、R2は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基を表す。また、R3、R4、は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基またはF、Cl、Brなどのハロゲンを表す。nは5〜10、000の整数を表す。)
請求項（抜粋）：
下記構造式(A)で表わされる末端に定量的にビニリデン基構造を有する高分子化合物。【化1】(式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、R2は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基を表す。また、R3、R4、は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基またはF、Cl、Brなどのハロゲンを表す。nは5〜10、000の整数を表す。)
IPC (3件)：
C08F 8/00 MJD
, C08F112/04 MJT
, G03F 7/039 501
