特許

J-GLOBAL ID：200903000340636860

薄膜キャパシタおよびその製造方法

発明者： 松井 裕一 ,  三木 浩史 ,  鳥居 和功 ,  櫛田 恵子 ,  茂庭 昌弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028929
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223778
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】誘電体の第二の下部電極4を、第一の下部電極3上に選択的に形成し、第二の下部電極4の加工余裕を省略し、メモリの高集積化を図る。【解決手段】層間絶縁膜2上で第一の下部電極3を加工後、第二の下部電極4を反応律速条件下の赤外線輻射加熱方式化学的気相成長法で形成する。赤外線輻射加熱方式では、メタルと絶縁膜では赤外線吸収係数が異なるため、基板温度に数十度の差が生じる。そのため、第一の下部電極3上に選択的に第二の下部電極4を形成できる。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜およびコンタクト上に第一および第二の下部電極,誘電体膜,上部電極が順次積層されたキャパシタにおいて、所望の大きさに加工された前記第一の下部電極の上面および側面のみに前記第二の下部電極が形成されており、さらに前記第二の下部電極が高誘電体膜および前記上部電極で覆われていることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B