特許

J-GLOBAL ID：200903000352087438

高電子移動度トランジスタ

発明者： 赤▲崎▼ 達志 ,  荒井 邦博 ,  榎木 孝知
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218096
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】InAlAsゲートコンタクト層/InGaAsチャネル層/InAlAsキャリア供給層/InAlAsバッファ層を有する、即ち、チャネル層の下にキャリア供給層を持つ、いわゆる逆HEMTと呼ばれる高電子移動度トランジスタのソース、ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を図る。【構成】ゲート電極直下にInAlAsゲートコンタクト層があり、ソースおよびドレイン電極直下のInAlAsゲートコンタクト層は除去されており、ソースおよびドレイン電極が直接InGaAsチャネル層にオーミック接触している構成とする。

請求項（抜粋）：

InAlAsゲートコンタクト層/InGaAsチャネル層/InAlAsキャリア供給層/InAlAsバッファ層を有する高電子移動度トランジスタにおいて、ゲート電極直下にInAlAsゲートコンタクト層があり、ソース電極およびドレイン電極直下のInAlAsゲートコンタクト層は除去されており、ソース電極およびドレイン電極が直接InGaAsチャネル層にオーミック接触していることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-102270
  
• 特開昭63-107173