特許
J-GLOBAL ID：200903000352603703
レジストの除去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314670
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、レジスト除去時に発生した残渣物を、ゲート酸化膜を残した状態で除去して、製造される半導体装置の品質の向上を図る。【構成】 エッチングマスクにレジスト14を用いて多結晶シリコン膜31(またはポリサイド系膜)をエッチングした後、第1の工程で、酸素プラズマ雰囲気でレジスト14を除去し、次いで第2の工程で、フッ化炭素系ガス、フッ化炭化水素系ガス、フッ化炭素系ガスと水素とよりなる混合ガス、またはフッ化炭化水素系ガスと水素とよりなる混合ガスのいずれかのガスを酸素と混合したものをエッチングガスに用いて、第1の工程で生成された残渣物22をプラズマエッチングすることにより除去する。
請求項（抜粋）：
エッチングマスクにレジストを用いて多結晶シリコン系材料またはポリサイド系材料をエッチングした後の当該レジストの除去方法であって、酸素プラズマ雰囲気で前記レジストを除去する第1の工程と、フッ化炭素系ガス、フッ化炭化水素系ガス、フッ化炭素系ガスと水素とよりなる混合ガス、またはフッ化炭化水素系ガスと水素とよりなる混合ガスのいずれかのガスを酸素に混合したものをエッチングガスに用いてプラズマエッチングすることにより、前記第1の工程で生成された残渣物を除去する第2の工程とを行うことを特徴とするレジストの除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
