特許

J-GLOBAL ID：200903000353679894

酸化銅系半導体薄膜の製造方法および酸化銅系半導体薄膜

発明者： 小野 博信 ,  奥野 政昭
出願人/特許権者： 株式会社日本触媒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-124457
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282913
出願日： 2007年05月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】本発明は、酸化銅系半導体薄膜の製造方法として、スピンコート法やインクジェット印刷法、スクリーン印刷等の塗布型プロセスにより製造することができ、しかも、均一な結晶性の高い亜酸化銅薄膜を形成することにより、良好な半導体特性を示す酸化銅系半導体薄膜の製造方法を提供することを課題としている。【解決手段】本発明は、エポキシ樹脂系の光半導体封止用組成物について鋭意検討を重ねた結果、平均一次粒子径が1〜50nmの範囲内であり、表面が配位および/または結合可能な有機化合物により被覆されている酸化銅系微粒子を含有する液状組成物を基板上に付着させる工程と、当該微粒子を加熱焼結する工程とを備えている酸化銅系半導体薄膜の製造方法である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径が1〜50nmの範囲内であり、表面が配位および/または結合可能な有機化合物により被覆されている酸化銅系微粒子を含有する液状組成物を基板上に付着させる工程と、当該微粒子を加熱焼結する工程とを備えている酸化銅系半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 3/02

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C01G3/02

Fターム (8件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 金属酸化物半導体薄膜及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-378118   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• インクジェット用インクおよびこれを用いた金属含有薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-073214   出願人：旭化成株式会社